Useimpien älypuhelimen omistajien mielestä muistiväylä ei varmaan ole se kaikkein suurin ongelma, mutta puhelimissa kiihdytetään pian uuteen vauhtiin. Tällä hetkellä käytössä oleva DDR4-tekniikka vaihtuu pian uuteen DDR5-polveen.
Puhelimissa lyhenteen eteen lisätään vielä alhaista virrankulutusta kuvaava LP-liite. EDA-talo Cadence Design Systems kertoo nyt, että se on saanyt täysin valmiiksi ensimmäisen LPDDR5-suunnittelulohkon eli IP:n. Sen avulla laitevalmistajat voivat suunnitella omat LPDDR5-toteutuksena valmistettavaksi TSMC:n 7 nanometrin prosessissa.
Cadencen IP sisältää väylän PHY-kerroksen, ohjaimen sekä verifiointi-IP:n. Jälkimmäistä käytetään varmentamaan väylän läpi kulkevan datan eheys.
LPDDR4 on nyt ollut pari vuotta huippuluokan älypuhelinten RAM-muistien menetelmä datan siirtoon muistilta suorittimelle ja takaisin. LPDDR5 kasvattaa tämän yhteyden nopeuden noin 1,5-kertaiseksi. Cadencen mukaan PHY-kerros yltä jopa 5500 megabittiin sekunnissa.
Kännykkäkäytössä muistin tehonkulutus on tietysti tärkeä kriteeri. Cadencen mukaan IP:lle on lisätty uusi alhaisen virrankulutuksen moodi, joka otetaan käyttöön silloin kun väylän läpi ei ajeta dataa.
Samsungin uusin Galaxy S10-sarja on yksi ensimmäisiä älypuhelimia, joissa uutta LPDDR5-muistia käytetään. Samsung valmistaa muistipiirinsä itse.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.